报告题目：低配位原子和耦合氢键体系的二个标度关系
报告人：孙长庆(Chang Q Sun) 东莞理工交叉科学中心/新加坡南洋理工大学
报告时间：5月24日（周三）10:00-11:00
报告地点：光电学院报告厅
报告摘要：
本报告将聚焦低配位和耦合氢键体系的键合弛豫与电子行为。第一，低配位原子间的键自发收缩，导致局域势阱变深、芯能级电子致密自陷、端态价电子和非键电子极化，主导着纳米结构的尺寸效应和缺陷、表面等超低配位原子的超强催化等。第二，采用H质子为坐标原点，引入O-O排斥和耦合水分子内/间作用，建立描述键合与电子行为的O:H-O三体作用势和参量空间，使理论再生冰水溶液的各种反常物性(如浮冰、复冰、润滑、热水速冷等)成为可能。拓展的耦合氢键(X:R-Y)包含5-7族元素或孤对电子，适用于炸药爆轰、超低配位原子催化、拓扑和高温超导等。初步探索进展令人鼓舞。
报告人简介：
孙长庆，辽宁葫芦岛人，东莞理工学院校长特聘教授、新加坡南洋理工大学教授，澳洲墨多克大学物理学博士。主攻超常配位键工程与非键电子学。发展了化学键受激弛豫、耦合氢键振子对、水合反应电荷注入等理论，拥有多项电子声子微扰谱学专利。著有双语《键合弛豫》《氢键规则》《水合反应》《计量谱学》，其中2部入选全球有史以来最佳20部物理化学和100部材料科学专著。曾获夸瑞兹密国际科学一等奖，入选全球顶尖千分之一最具影响力物理学者(183/224856)。链接：https://rise.dgut.edu.cn/info/1253/2311.htm